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    資源

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    黑硅光電探測器詳細(xì)介紹

    ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測器是通過采用表面納米結(jié)構(gòu)技術(shù)與原子層沉積涂層相結(jié)合,大大提高了光收集效率。

    在 200 nm 至 950 nm 范圍內(nèi)具有近乎完美的光響應(yīng),外量子效率≥ 96%(通過德國國家計量研究院PTB 認(rèn)證)。

     

    此光電探測器在紫外波段也同樣具有極高的量子效率,比普通的硅光電二極管高出兩倍以上。

     

    黑硅表面與定制的原子層沉積涂層相結(jié)合,極大地提高了感應(yīng)角度范圍內(nèi)的表面吸收率,具有極高吸光度的超寬感應(yīng)角度(> 95% @ 60°)

    ElFys 提供SM和PD兩大系列的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,也可以針對不同應(yīng)用需求進行定制??梢造`活地提供光電二極管芯片和完全封裝的光電探測器解決方案。

    SM系列
    主要特點:
    · 在多波長下具有出色的光敏性:綠色、紅色和 NIR
    · 低暗電流
    · 緊湊型 SMD 封裝
    典型應(yīng)用:
    · 健康監(jiān)測
    · 可穿戴電子產(chǎn)品




    PD系列

    主要特點:
    · 增強的廣譜光敏性:UV、Vis 和 NIR
    · 優(yōu)化的電氣特性
    · TO-can 封裝最大程度保護環(huán)境




    典型應(yīng)用:
    · 高精度測光
    · 分析儀器
    · X射線成像

    產(chǎn)品系列

    型號

    最大偏置電壓

    感光面積

    最大暗電流@ -10 mV

    節(jié)電容@0V,100kHz

    響應(yīng)率@λp

    默認(rèn)封裝 *

     

     

    [V]

    [mm2]

    [pA]

    [pF]

    [A/W]

    λp (nm)

    SM

    SM322

    6

    3.22

    40

    60

    0.71

    970

    SMD

    SM446

    6

    4.46

    50

    80

    0.71

    970

    SMD

    PD

    PD1sM

    10

    1

    12

    20

    0.80

    1010

    TO-46

    PD1sH

    1

    255

    11

    0.81

    1040

    TO-46

    PD4sM

    20

    4

    15

    65

    0.80

    1010

    TO-46

    PD25sM

    25

    30

    370

    0.80

    1010

    TO-8

    PD25sH

    25

    700

    110

    0.81

    1040

    TO-8

    PD100sM

    100

    60

    1200

    0.80

    1010

    PCB

    PD100sH

    100

    1500

    340

    0.81

    1040

    PCB

    PD5sMG

    100

    5

    15

    105

    0.80

    1010

    PCB

    PD5sHG

    5

    400

    30

    0.81

    1040

    PCB

    PD25sMG

    25

    30

    370

    0.80

    1010

    PCB

    PD25sHG

    25

    700

    110

    0.81

    1040

    PCB

    PD100sMG

    100

    60

    1200

    0.80

    1010

    PCB

    PD100sHG

    100

    1500

    340

    0.81

    1040

    PCB

    * 可根據(jù)客戶要求為所有產(chǎn)品提供定制封裝。
     
    ElFys, Inc. 成立于 2017 年秋季,旨在將一組大學(xué)研究人員開創(chuàng)的光電探測器技術(shù)創(chuàng)新商業(yè)化。公司利用了芬蘭埃斯波Micronova 納米制造中心先進的加工設(shè)施。該設(shè)施包含了2600 平方米 的兼容CMOS技術(shù)的設(shè)施,適用于研發(fā)和半批量生產(chǎn)。
    EIFys Inc. 由阿爾托大學(xué)的一個研究團隊組成,是早期把太陽能電池新的研究結(jié)結(jié)合到光探測技術(shù)的公司,由此成功的把黑硅技術(shù)應(yīng)用到光感應(yīng)技術(shù)中。該技術(shù)使得光學(xué)探測器的性能大幅提升,可以捕到獲每一束光。
     
    公司的合作伙伴在硅光伏和相關(guān)研究方面也擁有豐富的專業(yè)知識。太陽能電池和光電二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理非常相似,因此太陽能電池的創(chuàng)新通常可以應(yīng)用于光電二極管,反之亦然。表面鈍化和缺陷工程等主題是制造過程的組成部分,正是這些制造過程,幫助我們實現(xiàn)了光電二極管的卓越響應(yīng)。
     

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