半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)品第一輯：“光刻級(jí)精度”半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)光學(xué)元件相關(guān)產(chǎn)品推薦
半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)品第一輯：“光刻級(jí)精度”半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)光學(xué)元件相關(guān)產(chǎn)品推薦
“深紫外偏振控制+零雜散光環(huán)境+納米級(jí)定位探測(cè) =為28nm以下晶圓缺陷添助力”
技術(shù)背景與行業(yè)痛點(diǎn)
半導(dǎo)體制造進(jìn)入納米級(jí)工藝時(shí)代，晶圓缺陷檢測(cè)面臨三大挑戰(zhàn)：
1）深紫外波段光學(xué)噪聲干擾：傳統(tǒng)偏振片在200-400nm波段透光率不足，導(dǎo)致缺陷信號(hào)被噪聲掩蓋；
2）真空腔體污染風(fēng)險(xiǎn)：雜散光吸收材料釋氣率超標(biāo)引發(fā)EUV光刻系統(tǒng)穩(wěn)定性下降；
3）套刻誤差測(cè)量精度不足：位置探測(cè)器線性度誤差＞0.5%時(shí)，28nm以下圖形套刻偏差難以控制。
本方案整合Moxtek、Acktar、On-Trak三家光學(xué)元件產(chǎn)品，覆蓋“光路控制-雜散光抑制-定位測(cè)量”等方面檢測(cè)需求，為28nm以下晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)提供關(guān)鍵光學(xué)元件支撐。
核心光學(xué)元件技術(shù)解析
型號(hào)：UVT240A/UVX240A/UVD240A/UCMNATC0
技術(shù)突破：
200-400nm波段＞80%透光率：采用納米線柵刻蝕技術(shù)，在266nm典型波長(zhǎng)下透過(guò)率＞80%，消光比＞1000:1；可升級(jí)193nm偏振片
250℃耐熱鍍膜：滿足半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備高溫工況需求，鍍膜層無(wú)熱變形。
應(yīng)用場(chǎng)景：用于晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備，可有效提高缺陷檢測(cè)尺度；光刻膠曝光，可有效提供曝光分辨率
關(guān)鍵性能參數(shù)：
|
參數(shù)項(xiàng) |
規(guī)格 |
備注 |
|
工作波長(zhǎng)范圍 |
200-400nm |
|
|
入射角 |
0°±20° |
|
|
最大工作溫度 |
250℃ （帶鍍膜） |
可滿足耐高溫的需求 |
|
透過(guò)率 |
>80% @266nm (典型值) |
后續(xù)可提供193nm |
2.Acktar雜散光吸收膜：消除晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備光路中雜散光
型號(hào)：Magic Black/Vacuum Black/Fractal Black/Ultra Black/Metal Velvet
技術(shù)突破：
非金屬無(wú)機(jī)涂層：100%無(wú)機(jī)物構(gòu)成，CVCM釋氣率＜0.001%，RML釋氣率＜0.2%；
EUV-VIS-IR全波段吸收：工作波長(zhǎng)覆蓋EUV-FIR（極紫外至遠(yuǎn)紅外），涂層厚度很薄，完全由非金屬和氧化物構(gòu)成，不含有機(jī)物質(zhì)，涂層厚度3-25μm可控。
廣泛適用性：氣體釋放量極低，與蝕刻和剝離工藝完全兼容，適用于真空、低溫和潔凈室環(huán)境
應(yīng)用場(chǎng)景：消除晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備光路中雜散光，可有效提高缺陷檢測(cè)尺度
關(guān)鍵性能參數(shù)：
|
|
Magic Black |
Vacuum Black |
Fractal Black |
Ultra Black |
Metal Velvet |
|
工作波長(zhǎng) |
EUV-NIR |
EUV-SWIR |
VIS-FIR |
MWIR-LWIR |
EUV-FIR |
|
涂層厚度 |
3-5um |
4-7um |
5-14um |
13-25um |
5-7um |
|
工作溫度 |
-269℃ 到 +350℃ |
||||
|
極低釋氣 |
CVCM 0.001%, RML 0.2% |
||||
|
化學(xué)成分 |
100%無(wú)機(jī)物 |
||||
3. On-Trak位置靈敏探測(cè)器：納米級(jí)套刻誤差測(cè)量?jī)x
型號(hào)：PSM2-4/PSM2-10/PSM2-20/PSM2-45
技術(shù)突破：
0.1%線性度誤差：采用雙橫向硅探測(cè)器結(jié)構(gòu)，PSM2-4型號(hào)位置分辨率達(dá)100nm；
5nm位置分辨率：PSM2-10G針墊式四橫向鍺探測(cè)器在800-1800nm波段實(shí)現(xiàn)5μm分辨率。
應(yīng)用場(chǎng)景：在半導(dǎo)體應(yīng)用中，位置靈敏探測(cè)器因其能夠精確測(cè)量光點(diǎn)、粒子束或輻射的位置信息而發(fā)揮著關(guān)鍵作用，主要應(yīng)用于需要高精度定位、對(duì)準(zhǔn)、測(cè)量和控制的設(shè)備和工藝環(huán)節(jié)。
關(guān)鍵性能參數(shù)：
|
型號(hào) |
有效區(qū)域（mm） |
探測(cè)器類型 |
波長(zhǎng)范圍 |
典型分辨率 |
典型線性度 |
|
PSM 1-2.5 |
2.5 x 0.6 |
線性硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
62.5 nm |
0.1% |
|
PSM 1-5 |
5.0 x 1.0 |
線性硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
125 nm |
0.1% |
|
PSM 2-2 |
2.0 x 2.0 |
雙橫向硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
50 nm |
0.3% |
|
PSM 2-4 |
4.0 x 4.0 |
雙橫向硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
100 nm |
0.3% |
|
PSM 2-10 |
10.0 x 10.0 |
雙橫向硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
250 nm |
0.3% |
|
PSM 2-10Q |
9.0 x 9.0 |
象限硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
100 nm |
不適用 |
|
PSM 2-10G |
10.0 x 10.0 |
針墊式四橫向鍺探測(cè)器 |
800-1800 nm |
5 um |
— |
|
PSM 2-20 |
20.0 x 20.0 |
雙橫向硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
500 nm |
0.3% |
|
PSM 2-45 |
45.0 x 45.0 |
雙橫向硅探測(cè)器 |
400-1100 nm |
1.25 um |
0.3% |
4. PRO紫外反射鏡組：復(fù)雜光路緊湊化設(shè)計(jì)
型號(hào)：PRO#120/PRO#160/PRO#190
技術(shù)突破：
120-320nm定制波長(zhǎng)：反射/透射率＞40%，支持EUV光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
緊湊化光路設(shè)計(jì)：直徑25.4-50.8mm可選，適配不同檢測(cè)設(shè)備空間需求。
關(guān)鍵性能參數(shù)
|
型號(hào) |
直徑 |
平均反射率 |
平均透過(guò)率 |
|
UVBS45-1D |
25.4 mm |
40-50% |
40-50% |
|
UVBS45-2D |
50.8 mm |
40-50% |
40-50% |
結(jié)語(yǔ)：
本方案通過(guò)整合國(guó)際領(lǐng)先的光學(xué)元件，構(gòu)建了28nm以下晶圓缺陷檢測(cè)的“光學(xué)基準(zhǔn)元件”方案。其核心價(jià)值在于突破深紫外波段光學(xué)控制、真空環(huán)境兼容性、納米級(jí)測(cè)量三大技術(shù)壁壘，為中國(guó)半導(dǎo)體制造向14nm、7nm工藝躍遷提供關(guān)鍵檢測(cè)技術(shù)關(guān)鍵元件支撐。
讓每一顆芯片的缺陷無(wú)所遁形——這是光學(xué)技術(shù)的極限挑戰(zhàn)，更是中國(guó)半導(dǎo)體制造的精度宣言。
13810233784
在線咨詢
